Предложена модель формирования сложных силицидов в тонком приповерхностном слое кремениевой мишени при высокодозной имплантации ионов железа. В рамках модели атомы железа, совершающие случайные блуждания в двумерном слое присоединяются к растущему кластеру только в том случае, если их концентрация в окрестности кластера достаточна для формирования необходимого соединения. Указанная особенность роста кластеров приводит к формированию плотных структур, имеющих фрактальные размерности порядка 1.85-1.9. Учёт магнитного взаимодействия диффундирующих атомов и растущего кластера приводит к существенному удлинению кластера при его формировании во внешнем магнитном поле. Это удлинение может служить источником одноосной магнитной анизотропии в плоскости имплантированного слоя.