МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ЭФФЕКТОВ В ОДНОМЕРНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ. ПРОХОЖДЕНИЕ ЧАСТИЦЫ ЧЕРЕЗ ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Для численного решения задачи о прохождении микрочастицы через потенциальный барьер используется простая наглядная модель, в которой эволюция волновой функции во времени рассчитывается на основе дискретного аналога уравнения Клейна – Гордона. Показано, что использование преобразования Фурье позволяет в ходе единственного численного эксперимента получить полную зависимость коэффициента прохождения от энергии частицы. Результаты сравниваются с известными аналитическими расчетами.

Ключевые слова:
наноструктура, потенциальный барьер, квантовые эффекты, моделирование, nanostructure, potential barrier, quantum effects, modeling
Список литературы

1. А. И. Гусев, Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, Москва, 2007, 416 с.

2. С. И. Вольфсон, Н. А. Охотина, А. И. Нигматуллина, Вестник КГТУ, 4, 2013, 144.

3. И. И. Чечеткина, Вестник КГТУ, 1, 2013, 11.

4. A. Zhang, Z. Cao, Q. Shen, X. Dou, Y. Chen, I. Phys. A: Math. Gen. 33, 2000, 5449.

5. А. Н. Темников, Вестник КГТУ, 19, 2012, 13.

6. А.А. Харкевич, Спектры и анализ. Гос. изд-во физ.-мат. лит-ры, Москва, 1962. 236 с.

7. en/vikipedia.org/wiki/Rectangular_potential_barrier

Войти или Создать
* Забыли пароль?