Предложена модель формирования сложных силицидов в тонком приповерхностном слое кремениевой мишени при высокодозной имплантации ионов железа. В рамках модели атомы железа, совершающие случайные блуждания в двумерном слое присоединяются к растущему кластеру только в том случае, если их концентрация в окрестности кластера достаточна для формирования необходимого соединения. Указанная особенность роста кластеров приводит к формированию плотных структур, имеющих фрактальные размерности порядка 1.85-1.9. Учёт магнитного взаимодействия диффундирующих атомов и растущего кластера приводит к существенному удлинению кластера при его формировании во внешнем магнитном поле. Это удлинение может служить источником одноосной магнитной анизотропии в плоскости имплантированного слоя.
Агрегация, ограниченная диффузией, фрактальная размерность, дендриты, диполь-дипольное взаимодействие, ионная имплантация, Diffusion limited aggregation, fractal dimension, dendrites, dipole-dipole interaction, ion implantation
1. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров.-М:Наука. (1991)
2. T.A.Witten,L.M.Sander, Phys. Rev. Lett. 47 (1981) 1400.
3. J.M.D.Coey, G. Hinds, Europhys. Lett., 47 (2) (1999) 267-272.
4. T.R. Mhiochain, J.M.D.Coey JMMM 226-230 (2001) 1281-1283.
5. T.R Ni Mhiochain, J.M.D. Coey Phys. Rev. E 69 (2004) 061404.
6. Л.М. Мартюшев, Л.Г.Горбич Письма в ЖТФ т.29 (2003) 36-42.
7. D.G.Grier, D. Mueth Phys.Rev. E v.48 (1993) 3841-3848.
8. B.X. Liu, K.Tao Nucl.Inst.and Meth.In Phys. Res. B80/81 (1993) 332-335.
9. F. Chen, K. M. Wang, B. R. Shi , H. Hu J. Phys.: Condens. Matter 13 (2001) 5893-5899.
10. D. Nakagauchi, T. Yoshitake, K. Nagayama Vacuum 74 (2004) 653-657
11. А.Л. Степанов, В.А. Жихарев, И.Б. Хайбуллин ФТТ (2001) 733-739.
12. N.A.Balakirev et al. Comp. Material Science 50 (2011) 2925- 2929.
13. Н.А. Балакирев, В.А. Жихарев, Г. Г. Гумаров Вестник КНИТУ, т.15 (2012) 7-10.
14. Н.А. Балакирев, В.А. Жихарев Вестник КНИТУ №20 (2011) 16-20.
